| 2004 |
|---|
| 5 | | Thomas Nirschl,
Peng-Fei Wang,
Walter Hansch,
Doris Schmitt-Landsiedel:
The tunnelling field effect transistors (TFET): the temperature dependence, the simulation model, and its application.
ISCAS (3) 2004: 713-716 |
| 4 | EE | Kirsten Hilsenbeck,
Alexander Schömig,
Walter Hansch:
Zeitdiskrete Modellierung der Wechselwirkungen der Plan-Vorgaben bei Verwendung der Liefertreue als Leistungsgröße für die interne Supply Chain in der Halbleiterindustrie.
OR 2004: 93-101 |
| 2001 |
|---|
| 3 | EE | G. Shrivastav,
S. Mahapatra,
V. Ramgopal Rao,
J. Vasi,
K. G. Anil,
C. Fink,
Walter Hansch,
I. Eisele:
erformance Optimization Of 60 Nm Channel Length Vertical Mosfets Using Channel Engineering.
VLSI Design 2001: 475-478 |
| 2 | EE | A. Stadler,
I. Genchev,
A. Bergmaier,
G. Dollinger,
V. Petrova-Koch,
Walter Hansch,
H. Baumgärtner,
I. Eisele:
Nitrogen implantations for rapid thermal oxinitride layers.
Microelectronics Reliability 41(7): 977-980 (2001) |
| 2000 |
|---|
| 1 | EE | Masayasu Tanaka,
N. Tokida,
T. Okagaki,
Michiko Miura-Mattausch,
Walter Hansch,
Hans Jürgen Mattausch:
High performance of short-channel MOSFETs due to an elevated central-channel doping.
ASP-DAC 2000: 365-370 |
