L. F. dos Santos

2005
1	EE	Y. Galvão Gobato, M. J. S. P. Brasil, I. Camps, H. B. de Carvalho, L. F. dos Santos, G. E. Marques, M. Henini, L. Eaves, G. Hill: Charge buildup effects in asymmetric p-type resonant tunneling diodes. Microelectronics Journal 36(3-6): 356-358 (2005)

Coauthor Index

1	M. J. S. P. Brasil	[1]
2	I. Camps	[1]
3	H. B. de Carvalho	[1]
4	L. Eaves	[1]
5	Y. Galvão Gobato	[1]
6	M. Henini	[1]
7	G. Hill	[1]
8	G. E. Marques	[1]