| |
| 2005 | ||
|---|---|---|
| 1 | EE | Y. Galvão Gobato, M. J. S. P. Brasil, I. Camps, H. B. de Carvalho, L. F. dos Santos, G. E. Marques, M. Henini, L. Eaves, G. Hill: Charge buildup effects in asymmetric p-type resonant tunneling diodes. Microelectronics Journal 36(3-6): 356-358 (2005) |
| 1 | M. J. S. P. Brasil | [1] |
| 2 | I. Camps | [1] |
| 3 | H. B. de Carvalho | [1] |
| 4 | L. Eaves | [1] |
| 5 | Y. Galvão Gobato | [1] |
| 6 | M. Henini | [1] |
| 7 | G. E. Marques | [1] |
| 8 | L. F. dos Santos | [1] |