2003 | ||
---|---|---|
1 | J. K. Kim, S. H. Won, Ki-Seok Chung, H. D. Cho, T. W. Kang, T. S. Nam, C. S. Kang, C. H. Yi, D. S. Kim: Properties of A1/BaTa2O6/GaN MIS Structure. VLSI 2003: 240-243 |
1 | H. D. Cho | [1] |
2 | Ki-Seok Chung | [1] |
3 | C. S. Kang | [1] |
4 | D. S. Kim | [1] |
5 | J. K. Kim | [1] |
6 | T. S. Nam | [1] |
7 | S. H. Won | [1] |
8 | C. H. Yi | [1] |