| 2005 |
|---|
| 5 | EE | J. B. da Silva Jr.,
Elder A. de Vasconcelos,
B. E. C. A. dos Santos,
J. A. K. Freire,
V. N. Freire,
G. A. Farias,
E. F. da Silva Jr.:
Statistical analysis of topographic images of nanoporous silicon and model surfaces.
Microelectronics Journal 36(11): 1011-1015 (2005) |
| 4 | EE | S. K. Medeiros,
E. L. Albuquerque,
F. F. Maia,
E. W. S. Caetano,
G. A. Farias,
V. N. Freire,
B. S. Cavada,
M. L. Pessati,
T. L. P. Pessati:
Structural and optical properties of CaO.
Microelectronics Journal 36(11): 1058-1061 (2005) |
| 3 | EE | M. G. Bezerra,
J. A. K. Freire,
V. N. Freire,
G. A. Farias,
F. M. S. Lima,
A. L. A. Fonseca,
O. A. C. Nunes Jr.:
Interface effects in modulation-doped GaAs/AlGaAs single quantum wells and superlattices.
Microelectronics Journal 36(3-6): 359-361 (2005) |
| 2003 |
|---|
| 2 | EE | T. A. S. Pereira,
J. A. K. Freire,
V. N. Freire,
G. A. Farias,
L. M. R. Scolfaro,
J. R. Leite,
E. F. da Silva Jr.:
Confined excitons in Si/SrTiO3 quantum wells.
Microelectronics Journal 34(5-8): 507-509 (2003) |
| 1 | EE | M. Z. S. Flores,
F. F. Maia,
V. N. Freire,
J. A. P. da Costa,
E. F. da Silva:
Band structure anisotropy effects on the hole transport transient in 4H-SiC.
Microelectronics Journal 34(5-8): 717-719 (2003) |
