| |
| 2003 | ||
|---|---|---|
| 1 | EE | H. G. Yang, Y. Shi, L. Pu, S. L. Gu, B. Shen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zhang: Numerical investigation of characteristics of p-channel Ge/Si hetero-nanocrystal memory. Microelectronics Journal 34(1): 71-75 (2003) |
| 1 | S. L. Gu | [1] |
| 2 | P. Han | [1] |
| 3 | L. Pu | [1] |
| 4 | B. Shen | [1] |
| 5 | Y. Shi | [1] |
| 6 | H. G. Yang | [1] |
| 7 | R. Zhang | [1] |